El estudio de los dispositivos y sistemas de memoria tienen tantas terminologías que muchas veces abruma al estudiante. Antes de iniciar cualquier estudio amplio de la memoria, sería útil definir el significativo de varios términos básicos:

Celda de memoria Dispositivo o circuito electrónico que se utiliza para almacenar un solo bit (0 o 1). Algunos ejemplos de celdas de memoria son: un flip-flop, un capacitor con carga, y un solo canal en cinta o en discos magnéticos.

Palabra de memoria Grupo de bit (celdas) en una memoria que representa instrucciones o datos de algún tipo. El tamaño de la palabra en las computadoras modernas varían de 4 a 64 bits, dimensión de la computadora.

Byte Término especial que se usa para una palabra de 8 bit, que es el tamaño de la palabra más común en las microcomputadoras.

Capacidad Forma de especificar cuántos bits pueden almacenarse en un dispositivo de memoria particular o bien de un sistema de memoria completo.

Para ilustrar esto, suponga que tengamos una memoria que puede almacenar 4096 palabras de 20 bits. Esto representa una capacidad total de 81,920 bits. También podríamos expresar esta capacidad de la memoria como 4096*20. Cuando se expresa de esta manera, el primer numero (4096) es el numero de palabras y el segundo (20) es el número de bits por palabras (tamaño de la palabras). Es común utilizar la designación "1K" para representar 1024 = 2¹⁰ cuando nos referimos a la capacidad de la memoria. Por tanto, una memoria que tiene la capacidad de almacenamiento de 4K * 20 es en realidad una memoria de 4096 * 20. El desarrollo de memorias grandes ha dado origen a la designación "1M o "1 meg" para representar 2²⁰ = 1048576. Es así como una memoria que tiene una capacidad de 2M * 8 en realidad tiene una capacidad de 2,097,152 * 8.

Densidad Es otro término para capacidad. Cuando se dice que un dispositivo de memoria tiene mas densidad que otro, significa que puede almacenar mas bit en la misma cantidad de espacio. Es más densa.

Dirección Número que identifica la localidad de una palabra en la memoria. Cada palabra almacenada en un dispositivo de memoria o sistema de memoria tiene una dirección única. Las direcciones siempre se especifican con un número binario, aunque algunas veces se utilizan números octales, hexadecimales y decimales por conveniencia Siempre que nos referimos a una localidad específica, utilizamos su código de dirección para localizarla.

Operación de lectura La operación por medio de la cual la palabra binaria almacenada en una localidad (dirección) específica de la memoria es captada y después transferida a otro dispositivo. La operación de lectura a menudo se conoce como operación de extracción (fetch), ya que se extrae una respuesta de la memoria.

Operación de escritura Operación por medio de la cual se coloca una nueva palabra en cierta localidad de la memoria. También se le llama operación de almacenar. Siempre que una palabra nueva se escribe en una localidad de la memoria, ésta reemplaza la palabra que se encontraba anteriormente.

Tiempo de acceso Medida de la velocidad de operación del dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operación de lectura. En términos más específicos, es el tiempo que transcurre entre la recepción de una nueva dirección en la entrada de la memoria y la disposición de los datos en la salida. El símbolo t _acc se usa para designar el tiempo de acceso.

Memoria volátil Cualquier tipo de memoria que requiere la aplicación de energía eléctrica a fin de almacenar información. Si se retira la energía eléctrica, toda la información almacenada en la memoria se perderá. Muchas memorias de semiconductores son volátiles, mientras que toda la memoria magnética son no volátiles, lo que significa que puede almacenar información sin necesitar potencia electrónica.

Memoria de acceso aleatorio (RAM) Memoria en la cual la localización física real de una palabra de la memoria no tiene afecto sobre el tiempo que se tarda de esa localidad o bien escribir en ella. En otras palabras, el tiempo de acceso es el mismo para cualquier dirección en la memoria. La mayoría de las memorias de semiconductor y núcleo magnético son RAM.

Memoria de acceso secuencial (SAM) Tipo de memoria en el cual el tiempo de acceso no es constante, sino que varían según la localidad de la dirección. Cierta palabra, almacenada, es hallada por sucesión a través de todas las localidades de direcciones hasta que se llega a la dirección deseada. Esto produce tiempos de acceso que son muchos mas largos que los de las memorias con acceso aleatorio. Algunos ejemplos de dispositivos de memoria con acceso secuencial son la cinta y el disco magnético. Para ilustrar las diferencia entre las memorias SAM y RAM, considere la situación en que usted a grabado 60 minutos de música en una cinta de audio. Cuando desea escuchar una melodía en particular, por lo general es necesario rebobinar o adelantar la cinta hasta encontrarla. Este proceso es relativamente lento y la cantidad de tiempo requerido depende del sitio sobre la cinta donde se encuentra grabada la melodía. Este es un ejemplo de una memoria SAM, ya que usted tiene que recorrer toda la información hasta que encuentre la que está buscando. Su contraparte RAM es un tocadisco automático, donde es posible seleccionar cualquier melodía al proporcionar el código apropiado. La operación siempre toma el mismo tiempo, sin importar cual sea la melodía seleccionada.

Memoria de lectura y escritura (RWM) Cualquier memoria de la que se puede leer información o bien escribir en ella con la misma facilidad.

Memoria sólo de lectura y escritura (ROM) Una extensa clase de memorias de semiconductor diseñadas para aplicaciones donde la proporción de operaciones de lectura a operaciones de escritura es muy alta. En términos técnicos, en una ROM sólo se puede escribirse (programarse) una sola vez y ésta operación normalmente se efectúa en la fábrica. Posteriormente la información sólo se pude leerse de la memoria. Otros tipos de ROM son en realidad memorias, en la mayoría sólo de lectura (RMM)en las que puede escribirse mas de una vez, pero la operación de escritura es más complicada que la de lectura y no se realiza muy a menudo. Toda la memoria ROM es no volátil y almacena los datos aun cuando se desconecte la energía eléctrica.

Dispositivos de memoria estática Dispositivo de memoria de semiconductor en los cuales se quedarán permanentemente guardados en tanto se aplique energía, sin necesidad de escribir los datos periódicamente en la memoria.

Dispositivos de memoria dinámica Dispositivos de memoria de semiconductor en los cuales los datos almacenados no se quedarán permanentemente guardados, aun con energía aplicada, a menos que los datos se reescriban en forma periódica en la memoria. Esta operación se conoce como operación de "refresco".

Memoria interna También recibe el nombre de memoria principal o memoria de trabajo de la computadora. En ella se guardan las instrucciones y datos sobre la cual trabaja la CPU. Es la memoria mas rápida del PC.

Memoria secundaria Este tipo de memoria también se conoce como memoria auxiliar. Almacena grandes cantidades de información externa a la memoria interna de la computadora. Es más lenta que la memoria interna y siempre es no volátil. La cinta y el disco magnético son los más comunes de esta clase de memorias.

Memoria Cache: Memoria de alta velocidad que tiene comunicación directa con la CPU; las instrucciones y los datos se transfieren desde las memorias internas hacia la cache cuando la CPU las necesita.